Insb相关论文
对于芯片加速寿命可靠性试验来说，温度是其中最重要的一环。首先，立足于芯片可靠性试验中温度的变化，探究高温烘烤对InSb红外探测器芯......
响应波段在1～5.5μm的锑化铟（InSb）红外焦平面探测器具有灵敏度高（相对于铂硅Pt Si）、工艺成熟度高（相对于碲镉汞MCT）等优点,目前已被广泛......
In Sb是一种具有闪锌矿结构的直接带隙半导体,室温下带隙约为0.18 e V,电子迁移率高达7800 cm2V-1s-1,在光电探测器、红外热成像、......
用TEA CO2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。......
研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,......
工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
观察了不同能量的YAG激光脉冲辐照引起的晶态InSb薄膜熔化与再结晶的瞬态过程,分析了InSb薄膜在激光作用下发生相变的时间过程和微......
结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延......
Growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates by molecular beam epitaxy method with AlIn
A series of InSb thin films were grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy(MBE).GaSb/AlInSb is used as a compou......
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和......
InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前......
比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和......
用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系......
InSb是很有应用前途的Li离子电池非碳类负极材料.使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了hSb在Li嵌入时的125种不同情况下的......
采用对温度敏感的锑化铟(InSb)材料做基底设计了一种温控太赫兹波带阻滤波器。通过控制外部温度的高低来改变锑化铟基底的相对介电......
针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对......
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究.为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2.......
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视.使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳类负极材......
本文叙述了以磁阻效应为工作原理的InSb磁敏传感器的设计和制造,它具有非接触、数码化、重量轻、分辨率高及使用寿命长等优点.通过......
本文叙述了以磁阻效应为工作原理的InSb磁敏传感器的设计和制造,它具有非接触、数码化、重量轻、分辨率高及使用寿命长等优点.通过......
分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟（In Sb）红......
文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后，经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺......
文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后，经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺......
简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理;针对半导体材料对......
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光（CMP）技术对InSb......
InSb是一种重要的半导体材料。研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的......
用Co^60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验。在5000rad剂量下观测到二极管优值因子......
用Co^60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验。在5000rad剂量下观测到二极管优值因子......
InSb由于硬度低、脆性大等特性，其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用机械抛光技术对InSb进行表面......
通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be^＋注入InSb的射程及标准偏差，同时设计了......
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1......
液氮冲击中InSb焦平面探测器的局部分层、局部碎裂制约着其成品率的提高。为分析液氮冲击中发生在InSb焦平面探测器中的潜在失效模......
液氮冲击中InSb焦平面探测器的局部分层、局部碎裂制约着其成品率的提高。为分析液氮冲击中发生在InSb焦平面探测器中的潜在失效模......
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐......
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐......
实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标，首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同......
为了研究锂离子电池负极材料InSb的Li嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了Li离子电池非碳类负极材料InSb在Li嵌......
为了获得高质量的晶体,需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。阐述了采用提拉法生长晶体时的直径控制原理及方......
介绍一种用锑化铟—铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻元件（MR）制成的电流传感器（MRCS），并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。......
对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。提出了磁阻三端式信号采集电路和阻容耦合放大的信号处理电路。实......
测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了......
测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了......
使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器，在可见光照射下，器件反偏漏电流大，零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验，......
使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器，在可见光照射下，器件反偏漏电流大，零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验，......
对所生产的光伏ＩｎＳｂ器件Ｒ０Ａ值进行了测试，结面积为φ２．９ｍｍ的单元器件Ｒ０Ａ值在５．７１×１０＾４～５．７５×１０＾６Ωｃｍ＾２之间，在５０×１００μｍ＾２的线阵器件典型Ｒ０Ａ值为３×１０＾４Ωｃｍ＾２，对测试结果进......
对所生产的光伏ＩｎＳｂ器件Ｒ０Ａ值进行了测试，结面积为φ２．９ｍｍ的单元器件Ｒ０Ａ值在５．７１×１０＾４～５．７５×１０＾６Ωｃｍ＾２之间，在５０×１００μｍ＾２的线阵器件典型Ｒ０Ａ值为３×１０＾４Ωｃｍ＾２，对测试结果进......
文中着重介绍了InSb红外焦平面探测器背减薄技术工艺以及精抛对器件性能的影响.目前已较好的掌握了减薄至20μm的磨抛技术.......
