等电子杂质相关论文
在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光......
研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于......
王占国男,1938年12月出生,河南镇平人。半导体材料和材料物理学家,中科院半导体所研究员,中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系......
本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga_(1-x)AlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga_(1-x)AlxAs中获得约 10~......
掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.
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本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双......
一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束......
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结......
利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作......
