低温键合相关论文
硅（Si）和碳化硅（SiC）键合技术在微机电系统的封装和三维集成封装等领域有着重要的应用。然而,当下的键合方法仍然存在着高温、高成本和......
随着功率半导体技术的飞速发展,对功率半导体器件互联的要求越来越高。铜纳米颗粒可以在低温下烧结,在高温下长期工作,符合低温烧......
在过去的几十年里,电子器件朝高密度、高集成化发展,推动了微电子产业的不断发展与壮大。键合技术作为电子封装技术的核心,起着电......
低温Cu-Cu键合技术是实现电子器件和三维集成电路电互连、机械支撑和散热的关键技术。目前电子封装正朝着集成化、小型化、多功能......
随着芯片集成度不断提高、电子产品小型化，集成电路特征尺寸已逐渐趋近物理极限，材料、工艺等方面遇到了许多难以逾越的瓶颈，传统二维......
微电子产业在过去几十年遵循摩尔定律持续不断发展,然而,随着电子器件尺寸的减小及芯片集成度的提高,芯片特征尺寸趋近物理极限,传......
低温键合技术与其他键合技术相比,能够避免高温退火对器件造成的缺陷,在制作微机电系统(MEMS)器件、绝缘体上硅器件(SOI)以及压电......
第二代测序技术具有大量并行分析DNA序列信息的能力。一次测序反应可以同时获得数十万至数十亿条DNA片段上碱基信息，一次测序过程可......
石墨烯因为优异的电学、热学特性有望作为下一代的互连材料,但转移石墨烯表面通常会有PMMA残留的存在,这会影响器件的性能。因此,......
研究了一种利用商品化的氧化铟锡ITO）玻璃制作一次性电致化学发光微流控芯片的方法．采用光刻和湿法腐蚀ITO（氧化铟锡）层制作微电极；利用......
论述了三维集成电路(3DIC)的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外......
聚合物低温键合技术是MEMS器件圆片级封装的一项关键技术。以苯并环丁烯（BCB）、聚对二甲苯（Parylene）、聚酰亚胺（Polyimide）、有机玻璃（PM......
综述了近年国际上有关硅基片上光互连技术的进展，介绍了一些相关器件，如实现波分复用型片上光互连系统的关键器件：波导、波分复用／解复......
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对......
研究了采用Sn／Bi合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr／Ni／Cu／Sn、芯片上形成Cr／Ni／Cu／Bi多金属层，在513K、150Pa......
碳化硅作为一种性质优异的第三代半导体材料,具有高热导率,高临界电场和高饱和电子漂移速度等优势,能够在高温、高频、大功率电子......
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/I......
硅基材料是MEMS器件制造的重要材料,为了避免封装过程中高温工艺对器件的不利影响,该类材料的低温连接方法受到科研工作者的广泛关......
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,......
原子钟自1949年出现以来，一直沿着高精度和微型化两个方向高速的发展。微型原子钟在通信、交通、电力、金融、军事国防、航空、航天......
芯片互连技术成为下一代制造技术的一大核心挑战，三维芯片互连或堆叠作为新一代封装技术应运而生。随着三维（3D）封装中器件节点尺寸的......
近年来集成电路器件的特征尺寸日益接近摩尔定律的物理极限,电子/光学/生物医疗器件的多功能芯片集成变为新型电子产品的关键推动......
用于制造石英玻璃真空腔的低温键合技术受到了广泛的重视。该技术基于氢氧化物催化玻璃表面的水解/脱水过程,通过在键合界面之间形......
为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二......
石英玻璃的低温键合技术作为一种可靠的固体连接方式,受到了欧美发达国家的广泛重视,并在航天、基础科研、强激光等诸多领域得到了......
硅片直接键合技术在微机电系统,绝缘体上硅材料的制造和三维集成领域有着重要的应用。跟中介层键合技术和阳极键合技术相比,直接键......
微流控芯片广泛应用于生物、化学、医学、药物、食品、农业等领域,是微全分析系统的发展重点和研究热点。玻璃因具有优异的电渗、......
微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础.制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要.本文针对近年......
MEMS／NEMS较为成熟的封装工艺一键合工艺，多数是在高温条件下进行，但是高温会对MEMS传感器产生不良影响，造成器件不稳定甚至失效。因此......
