溅射产额相关论文
溅射离子泵又称潘宁泵,是一种广泛用于超高真空系统中的清洁真空泵。溅射离子泵阳极筒空间中的电子在电磁场的作用下与气体分子碰......
中子管是加速器中子源的一种,中子管是把离子源、加速系统、气压调节系统、靶密封在陶瓷管内,构成一支结构紧凑、方便使用的电真空......
高电荷态离子（Highly Charged Ion HCI）是核电荷数较高同时外壳层电子被大量剥离的离子。高电荷态离子的研究对天体物理、量子色动力......
离子束溅射技术是近些年发展起来的制备高质量薄膜的一种非常重要的方法,它具有其它制膜技术无法比拟的优点,在制膜过程中,由于沉......
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1～ 5MeV Si离子轰击SiO产生的Si能谱和溅射产额.发现在1～2MeV时SiO的溅射过程可以利用核溅射理论来......
随着科学技术不断地发展进步,光学、微电子、天文学等领域的研究工作对超光滑表面的需求量日益增加,对关键零部件表面的面形精度亦......
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1～ 5MeV Si离子轰击SiO产生的Si能谱和溅射产额.发现在1～2MeV时SiO的溅射过程可以利用核溅射理论来......
中子管的中子产额和寿命受靶性能影响,利用SRIM(The Stopping and Range of Ions in Matter)2008模拟计算不同束流和高压条件下钛......
本文主要是介绍直流平面磁控溅射法制备二氧化钒相变膜工艺的研究。围绕二氧化钒相变膜制备技术，介绍了磁控溅射法制备工艺、退火......
稀土是工业维生素，稀土矿在我国有丰富的储藏，主要分布在内蒙。稀土在国防、信息、节能减碳等有重要的作用。稀土广泛应用于如储氢材......
霍尔推力器放电室壁面经受低能量(不大于300e V)离子的溅射是影响其寿命的关键因素之一。为了获得放电室壁面材料(BNSi O2)的溅射......
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeV Si离子轰击SiO产生的Si+二次离子动能分布和溅射产额.实验发现,当入射离子能量在1-2MeV时......
进一步发展了文献[8—9]的各项异性溅射理论，并运用该理论研究了低能氩离子和氙离子分别轰击铁靶和铝靶的溅射原子能量分布（或溅射原......
文章运用人工神经网络理论建立预测模型,综合考虑了影响溅射产额的多个参数;用实例讨论了如何利用网络模型来预测不同条件的溅射产......
利用蒙特卡罗方法计算氦离子和氩离子在各种参数下（离子能量、入射角度）入射硅材料表面的溅射产额.计算了硅材料表面的溅射产额对离......
给出了计算离子法向轰击单元素靶溅射产额的通用解析公式，将该解析公式估算值、蒙特卡罗模拟值与相应实验数据进行了比较，并用Ｗｉｌｃｏｘｏｎ配对符......
分析了溅射阔产频的影响因素，并建立了产额模型。该模型能反映各种宏观工艺参数，便于工程应用。对钛靶的计算结果表明与实验结果相符......
利用TRIM模拟中的蒙特卡罗方法计算了镓（Gallium）离子在Cu薄膜上的溅射产额。分析溅射产额对镓离子的数量、入射离子的能量和离子入......
为了估计偏滤器靶板材料的腐蚀速率和寿命,应用基于离子输运双群模型的溅射理论计算了聚变带电粒子H+、D+、T+和α粒子轰击Mo、W和......
采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的......
利用SRIM软件模拟Ar^＋以不同能量和角度溅射铜靶,根据计算结果得出溅射产额随入射离子能量和角度的变化规律：溅射产额在低能区（0.1-10......
本文用基于两体碰撞近似的蒙特卡罗模拟方法,研究不同相互作用势(Moliere势和Universal势)对溅射模拟计算结果的影响。讨论了入射......
研究了ＣＯ２，Ａｒ离化团束对不同金属系统对及ＳｉＯ２表面的溅射效应。离化团束的溅射产额比之单体离了束高１００倍以上。气体离化团束的高溅射产量额可能......
通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar＋轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar＋轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产......
使用ACAT模拟程序计算了不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额.采用山村等人提出的考虑壳层效应的理论屏蔽长度,原子间作用势用Mo......
采用嵌入原子方法的原子间相互作用势，利用分子动力学模拟，详细研究不同角度入射的载能Ni原子在Pt（111）基体表面的沉积过程．结果表明，随......
基于Navier-Stokes方程的自相似解,研究了最小质量限制液滴Sn靶激光等离子高能离子的时空分布特性,并将该结果应用于高能离子碎屑......
用ACAT模拟程序计算了不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额.计算中采用山村等人提出的包括壳效应的新电子能量损失局域模型,原子......
应用蒙特卡罗程序TRIM对Ar＋轰击AlN的微观过程进行了模拟。对不同能量以及不同角度下Ar＋轰击AlN引起的溅射产额进行了系统的研究。随......
为了预示霍尔推力器的寿命,建立了推力器粒子束放电通道的2维电磁场模型,模拟的推进剂为氙。利用PIC方法跟踪粒子在电磁场中的运动......
利用SRIM2013软件,分别模拟计算了3组合金靶材Fe-Cr、Cu-Ni和Au-Ag在氩离子入射时的溅射产额,根据计算结果得出3组合金均存在择优......
简单介绍了Sigmund的理论和一些基于此理论的其它经验公式,描述了YAMAMURA半经验公式的发展过程.采用ACAT模拟程序和YAMAMURA半经......
为了提高霍尔推力器的寿命,提出将放电通道内的氮化硼陶瓷材料换为金刚石的方法,以此来提高推力器的抗溅射性能.文章主要通过研究......
根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高......
选择具有不同溅射产额的靶材料(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),研究了其高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)放电靶电流波形随靶电压的演化行为.发现所......
目前,原子氧剥蚀效应研究仍然是空间环境效应研究中最活跃的方向之一。在概括地介绍低地球轨道环境的同时,分析了铝在原子氧环境中......
溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行......
根据潘宁放电机理，导出溅射离子泵抽速的理论公式。讨论了抽速对各种放电参数的依赖关系。计算了离子泵对Ｎ２和ＣＯ的抽速。计算结果和实验......
至今,溅射离子泵的抽速用半经验公式S=K(I/P)表示,其常数K由实验确定。本文沿用Schuurman的磁约束气体放电理论,结合Sigmund援引Li......
光学元件的抗损伤能力目前已成为限制高功率固体激光装置输出能力的“瓶颈”问题之一,去除元件表面、亚表面杂质和加工缺陷是提高......
磁控溅射镀膜是工业镀膜生产中最主要的技术之一，尤其适合于大面积镀膜生产。生产中需特别关注靶材利用率、沉积速率以及溅射过程稳......
GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射......
离子束溅射技术是近些年发展起来的制备高质量薄膜的一种非常重要的方法,它具有其它制膜技术无法比拟的优点,在制膜过程中,由于沉......
偏滤器是环形聚变装置(如:托卡马克)的重要组成部分,它将中心等离子放电产生的带电粒子偏滤到一个单独的腔室中。在此室内粒子轰击......
模拟计算质子对CdZnTe的辐照损伤.先计算质子在CdZnTe中的电离损伤和位移损伤,再计算不同能量和入射角的质子辐照CdZnTe产生的空位......
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