深能级中心相关论文
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱......
以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO_3:Cu:Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能.研究中考虑了在晶体深能级中心Cu~+/......
研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响.研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜......
通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c......
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P......
用国产 MBE设备生长的不掺杂 GaAs/AlAs多量子阱(MQW)结构,在 4.2 K光荧光谱中观测到一条特殊的光谱线——I线.其半高宽为 6.5—9m......
目前,深能级瞬态谱仪DLTS(Deep Level Transient Spectrcopy)已广泛应用于研究半导体中深能级中心以及界面态的各种性质.本文介绍......
用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再......
采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引......
分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落......
研究了深能级中心电场增强载流子产生现象，得到的产生电流与产生宽度的理论关系，能较好地与实验结果相符合。
The phenomenon of ca......
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前......
在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子......
介绍热激电流测试方法，并用该方法测量了ＳＩ－ＧａＡｓ材料的ＴＳＣ特征谱图。同时对ＳＩ－ＧａＡｓ的深能级中心的行为进行了初步的分析。......
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法,该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定......
在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID（proportional-integral-derivative）技术的深能级中心光离......
利用光致瞬态电流谱（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响，实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２，退......
对Ⅱ-Ⅵ化合物半导体氧化锌(ZnO)材料的认识和研究已有几十年时间,并已将其应用在许多方面,但是直到1996年ZnO微晶结构薄膜在室温......
学位
