GaN相关论文
城市新增建设用地是城市建设、规划与发展的重要组成部分,随着城市和农村的不断发展和变化,城市新增建设的扩张与变化需要实时动态......
设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路，一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声，另一......
针对空间负荷预测的影响因素多样及历史数据匮乏的问题，提出了一种考虑多维特征和数据增强的空间负荷预测方法。该方法首先综合考虑......
期刊
作为典型的宽禁带半导体材料,氮化镓（GaN）具有介电常数小、禁带宽度大、导电性能良好、化学性能稳定等优点,在很多领域都有广泛的应......
现阶段接收链路的动态功率范围越来越大，对接收机限幅器的线性度带来挑战。要求限幅器在满足高功率的前提下，开启电平尽量高。GaN肖......
当今高功率微波技术发展迅速，电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压，特别适用于大功率整......
人脸图像的三维重建是计算机视觉领域一个长期的难题。文章提出一种基于GAN的人脸图像三维重建方法。在这种方法的总体思路中，生成......
GaN具有优异的材料特性,适合制备高频高压大功率器件。GaN器件结构有横向结构器件和垂直结构器件,因为垂直结构的GaN器件具有很多......
氮化镓（Gallium Nitride,GaN）基半导体激光器（Laser Diode,LDs）具有寿命长、成本低、重量轻等优点,广泛应用于激光光源、数据储存、全......
无线网络现已广泛存在于人们的日常生活中,研究人员开始研究如何利用常见的无线网络实现对环境中人体活动的感知。基于Wi Fi信号中......
生成对抗网络GAN（Generative Adversarial Networks）于2014年被Lan等人提出，该生成式模型受到二人零和博弈的影响，通过生成器和判别器......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
近年来,深度学习以及强化学习在计算机视觉（CV）和自然语言处理（NLP）领域取得了显著的研究成果。而视频字幕生成作为联系视觉和自然语言......
介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的2～18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级非均匀分布式拓......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
第三代半导体材料氮化镓（GaN）,由于其具有宽禁带、高电子饱和速率等优越特性,是目前研究的热点材料。GaN基器件的应用和推广,有赖于G......
氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，受到学术界和产业界的广泛关注，正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频（RF）GaN......
本文提出了一种基于滤波融合的宽带功率放大器,通过引入带有短路短截线的带通滤波拓扑结构用于功率放大器的输入输出匹配网络进行......
宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多，具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带......
本文基于0.15um GaN on SiC工艺设计了一款工作于Ka波段的高效率两级MMIC功率放大器。仿真结果表明:该功率放大器在34-36GHz频段内......
随着5G时代的到来,通信行业又有了一步大跨越式的发展,氮化镓（GaN）功率器件作为通信领域和半导体领域的交叉核心,其发展与应用也跟随......
随着通信技术的发展,对于远距离通信的需求越来越高,功率放大器作为发射机的最重要组成部分,客观上推动了功率放大器的发展。固态......
GaN是一种理想的短波长发光器件材料。基于In GaN/GaN多量子阱的P-N结器件不仅可以在电流驱动下发出特定频率的光,同时也可对特定......
得益于GaN材料的宽带隙、高饱和速度和高击穿电压等特性,GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）在高温......
近年来,以氮化镓（GaN）为代表的III族氮化物,已成为制备紫外（UV）探测器件的理想材料。由于纳米材料具有与体材料不同的新颖特性,GaN基半......
GaN基LED具有节能、环保、光效高、体积小、寿命长等诸多优点,被认为是新一代最有发展前景的照明光源之一。GaN基垂直结构LED解决......
近年来,氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）作为一种新型的固态光源,具有低功耗,长寿命,高发光效率等优点,在汽车照明、显示背光等方面发挥......
最优传输模型由法国数学家Gaspard Monge提出.它描述的是以最小的成本将所有源分布的概率质量传输到目标分布.模型中的Wasserstein......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
随着现代信息技术的发展,“大数据”时代已经到来,人类社会产生的数据量日益增长,如何快速高效地从这些非结构化的文本数据中抽取......
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
如今人工智能作为人们关注的热点被广泛研究,在交通领域也有一定应用。生成式深度学习作为一种有创造性的学习方法,对地质灾害实体......
医学图像分割能够提取器官或组织区域的特定信息,这些信息在评估病理中发挥着重要作用.多模态图像（如多模态心脏MR图像）可以提供不同......
随着深度学习技术的蓬勃发展,人脸识别技术已经走向了成熟,在日常生活中拥有非常多的使用场景。然而,现有的人脸识别模型主要对高......
截止至2020年,我国全国铁路营业里程达到14.63万公里,其中高铁3.8万公里,在地面客运货运中起到重要作用。在铁路运输过程中,钢轨焊......
手语（手势）识别是人机交互研究的一个重要的子课题,该课题不仅能帮助聋人群体更好的交流,还能极大的促进人机交互领域的发展。结合sE......
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响.在阳......
在科技快速发展的今天,人们对于检测和治疗身体健康的技术和设备都十分重视.GaN HEMT器件的出现让科学家们眼前一亮,其良好的性能......
功率放大器是无线通信系统的重要组成部分。高功率、小型化、高效率的功率放大器已成为目前的研究趋势。通过对匹配结构电路进行相......
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源......
伴随着5G时代的全面来临和照明显示需求的全方位提升,以氮化物、碳化硅为代表的第三代半导体材料迎来了全盛时代。氮化物半导体材......
GaN作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、饱和电子漂移速度高等诸多优点,是制备高频大功率电子器件的理想材料。GaN......
Ⅲ族氮化物由于禁带宽度连续可调的直接带隙性质,使得其广泛应用在发光器件领域。然而极化带来的量子限制斯塔克效应和材料本身的......
