杂质条纹相关论文
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远......
反射型魔镜检测方法（Ｒ－ＭＭ）是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法．我们采用Ｒ－ＭＭ方法检测了大量的硅片和硅外延片，非常方便......
微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都......
研究了用加压氮化法（ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｐｒｅｓｓｕｒｅｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ，简称ＩＰＮ法）制备高活性、高纯度的氮化硅超细粉。用这种超细粉在一定温度范围内原位生长出“无缺陷”的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须，其截面......
目前,半导体器件已经发展到超大规模集成电路阶段。日本和美国都在相互竞争,为制作超LSI而努力。所谓超LSI,就是指超高速型电路(......
一、引言半导体硅是电子工业发展的重要基础材料之一,其质量决定着电子工业发展的水平,对实现四个现代化起着关键作用。当前硅材......
由于直拉重掺锑硅单晶存在截面电阻率均匀性差、杂质管道、杂质条纹、析出、位错等问题,在生产中不仅产品成品率低,而且产品的质量......
本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料......
自1978年以来,半绝缘Ⅲ-Ⅴ族化合物材料会议每两年召开一次。第四届会议于1986年5月18至21日在日本箱根举行。参加会议的国家十分......
为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解......
半导体器件用的硅单晶,通常是在直拉或区熔时从外部引入杂质制备的,即在硅单晶体生长时掺入所需杂质.因此,在掺杂时,由于杂质在硅......
本文介绍利用一种将单晶锭条两端固定,中间可以重熔以建立悬浮熔区的反应容器,在回地卫星的微重力环境下用45分钟从熔区两端相向生......
晶体材料在现代科学技术中有着重要的应用,为获得高质量的半导体晶体材料,人们做了大量的工作.研究发现,在晶体生长过程中,熔体中......
本文通过分析晶体的生长界面,得出生长界面的形状对单晶的内在质量参数有着极为重要的影响。等径生长时生长界面是逐渐由凸变平,进......
