超突变结相关论文
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研......
南京固体器件研究所在国内有关单位的协作下,在一九八二年,进行了两次科研成果鉴定,现将主要项目介绍如下.第九次科研成果鉴定会于......
期 页砷化镣单片微波集成电路工艺述评…………………………………………………王福臣11异质结扩散模型电流传输理论研究 1.突变异......
M A—87912系列电调耿氏二极管振荡器性能:在26.5—40GH_2波段电调带宽大于2GH_(zo)标准输出功率在—30℃—+70℃范围是65mW,(图1......
毫米波集总参数压控振荡器提供了宽频带、连续和无杂波的调谐特性。由于电路简单,而且不需要昂贵的基片,从而降低了成本。
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本文叙述了一种利用FET振荡管和GaAs超突变结变容二极管构成的电压控制振荡器(VCO).通过合理的电抗补偿和阻抗匹配技术的应用,VCO......
本文研究单边超突变结空间电荷区,结的轻掺杂边为高斯分布。推导电势和电场分布、耗尽层宽度以及耗尽层电容。指出在一定电压范围......
本文叙述低-高-低n-GaAs多层有源层的扩散平面超突变结的容压特性及其控制,并给出容压特性与压控振荡器(VCO)频率特性的关系.在X波......
本文假设了一种与外延材料的掺杂分布比较接近的杂质浓度分布函数,导出了超突变结的电容—电压(C—V)特性以及容—压斜率指数与外......
大频偏调频信号广泛应用于大容量微波中继通信、卫星通信、网络频率特性测量等。目前产生大频偏调频信号的方法一般有超突变结变......
本文简要叙述变容二极管微波分频器的工作原理及其简单设计方法,并给出了一个实际微波分频器的设计结果和测试数据。
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电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常......
在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o......
介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超......
本文对一种360°移相器线性条件进行了分析。从线性要求出发,求出了对变容管的引线电感及结电容的最大值和最小值的要求。并研制了......
用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到......
本文从理论上分析了伴音调制器中的副载波电压对变容二极管的不利影响,并对一种新型的双管变容二极管伴音调制器进行了较深入的数......
本文详尽地讨论了砷化镓超突变结变容二极管的设计原理和方法。结合设计实践，给出了具有代表性质的变容二极管的设计过程和要注意的......
本文介绍了用平面工艺，用液态源气相扩散的方法试制的三公分微带型硅超突变结变容二极管。它具有结电容小，电容变化比大，电压与频率的......
本文讨论改善压控振荡器频率非线性的各种方法,分析了近代电子设备中可以采用的一种成功的线性化措施,并给出了实用电路。
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通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-......
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施
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在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究，根据导出......
本文对超突变结构变容二级管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参......
本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知Ｃ－Ｖ曲线变容管的几个主要设计参数。......
讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和ｎ值，提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。......
<正> 我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 M......
一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指......
评述当前变容二极管的新动态，如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。......
对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.......
在改进的超突变结变管掺杂分布模型的基础上，对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究，并用二分法得到了通常实用范围的Ｖｂ，Ｎｏ数据表；同时用......
