深紫外光刻相关论文
为满足45 nm及其以下节点光刻技术对照明系统的需求,将深紫外光刻照明系统的光束整形单元所采用的微反射镜阵列(MMA)作为关键器件,......
在超大规模集成电路中, 为满足数值孔径为1.35、波长为193 nm的光刻曝光系统45 nm的成像分辨率要求, 设计了一种新型光可变衰减器,......
Ｎｉｋｏｎ公司加入了富有活力的深紫外光刻市场深紫外光刻市场将成为竞争场所。尼康美国分公司已推出ＮＳＲ—５２０１Ａ步进重复扫描系统，对ＳＶＧＬ公司提出挑战，是为......
ＭｉｃｒａｓｃａｎⅢ步进机增强了ＳＶＧＬ公司深紫外光刻市场竞争力据《ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＮｅｗｓ》１９９６年８月１２日报道，ＳＶＧＬ公司今秋推出ＭｉｃｒａｓｃａｎⅢ步进机同日本两大光刻设备公司竞争深紫外光刻．设备市场。......
介绍了深紫外光刻技术、电子束光刻技术、Ｘ射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展，概要介绍了这些技术最热门的研......
超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小，促进了光刻技术的发展和分辨率的提高，使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠......
德国Karlsruhe大学、比利时大学校际微电子研究中心、美国Lehigh大学等研究机构的研究人员采用硅基器件实现了全光超高速通信信号......
对分步重复投影半导体光刻机相位光栅对准信号作了详细的分析,提出了更加合理精确的计算模型,并与其他论文中的实验数据作了初步......
深紫外光刻投影物镜光学系统对光学元件的面形精度要求极高，物镜中轴向调节机构调节力对光学元件面形的影响不可忽略。针对一种一体......
采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用......
本文介绍了参加SEMICON/WEST′91展览会所见到的国外光刻设备——新研制的制造亚微米器件(16Mb)用的半导体设备已面市。特别引人注......
微电子技术可算得上是人类有年史以来最卓越的技术，微电子技术的发展迅猛异常，迄今为止，在人类的科学技术史还没有一种技术象它这样地......
可调谐激光源已成为包括光化学、光谱学和激光遥感在内许多重要激光研究领域中不可或缺的器件。从70年代中期起，Nd∶YAG激光抽运染......
表面等离激元（Surface Plasmon polaritons，SPPs）是金属中的自由电子和外加光场之间耦合而产生的一种电磁波。表面等离激元共振（Surfac......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
首次采用扫描式光刻机开展基于101．6mm（4英寸）砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究，通过研究si片与GaAs片表面状态的差异，确认基于扫描式光刻......
介绍了紫外光刻技术，电子束光刻技术，Ｘ射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展，概要介绍了这些技术最热门的研究课题......
<正>1半导体产业生态环境半导体产业诞生于20世纪70年代,当时主要受两大因素驱动:一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二......
针对深紫外光刻投影物镜的像质补偿要求,对偏心调节时的透镜进行受力分析,基于柔度矩阵法设计了一种柔性多弹片透镜支撑结构,研究......
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因......
深紫外波段是目前常规光学技术的短波极限,随着波长的缩短,深紫外光学薄膜开发面临一系列特殊的问题;而对于深紫外光刻系统这样的......
亚微米金属结构在可见至红外段均具有独特的光学性质,利用其光学特性的表面增强拉曼散射(SERS)和表面增强红外吸收(SEIRA)极大地拓......
本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248......
随着微电子产业的迅猛发展,我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为193nm的投影式光刻机因其技术成熟、......
