薄膜成分相关论文
在刀刃上直接沉积纳米级的金刚石薄膜，使刀刃受到保护、不受腐蚀，剃须时不易刮伤脸面。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)......
用非真空法制备Cu(in_xGa_(1-x))Se_2(CIGS)薄膜,首先以Cu,In,Ga,Se单质为原料用溶解热法制备出CIGS粒子,加入溶剂和助剂后形成墨......
第四届有色系统电镜技术交流会于1990年11月28～30日在广州有色金属研究院召开。有色系统及其他系统共18个单位的52名代表参加了会......
用金属预制膜硫化法制备铜锌锡硫薄膜,分别采用了60,90,120和180 min的硫化时间进行硫化,考察了硫化时间对制备的Cu2ZnSnS4(CZTS)......
应用直流非平衡磁控溅射系统在不同实验条件下制备了ＣＮｘ薄膜材料，其最大氮原子百分含量为３７％。通过傅里叶变换红外光谱、Ｘ光光电子能谱以及......
提出一种不用标样确定基体薄涂层厚度并同时得到薄膜成分的新方法，通过理论计算，得出在不同涂层厚度下，涂层与基体的特征Ｘ射线相对强度......
本文采用离子束辅助沉积技术，制备了不同成分梯度的一系列（Ｔｉ１－ｘＡｌｘ）Ｎ膜（其中ｘ＝０．１６～０．４４），并利用刮剥式结合强度测量方法，对薄膜成分对结合强度、内应力、硬度......
采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构......
引言电镀的Co-Ni薄膜广泛地用作磁記录介质。因为它們具有这样一些优点:制备簡单、理想的薄膜厚度,和容易得到大范围受控制的磁性......
本文首先讨论了合成膜电阻性能上缺点的根源,作者认为:在薄膜成分中加入合成树脂的增塑剂,可以提高薄膜的弹性和炭黑颗粒在薄膜中......
用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分......
二氧化钒薄膜特殊的可逆相变特性,决定其有着巨大的应用潜能,由于钒与氧结合可以形成几十种氧化物,因此制得严格化学配比的二氧化......
松下公司报导了通过改变建立图象灵敏扫描单元表面的薄膜成分,可以明显地改善线性图象传感器的阅读速度并降低所需的光强。
Matsu......
采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气......
Ti(CN)硬质合金薄膜凭借其化学稳定性好、硬度高等特性被广泛用作高速钢刀具、模具以及轴承等的镀层.根据Ti(CN)薄膜硬度随成分变......
用X射线光电子能谱(XPS)研究了射频碰控溅射法在玻璃基表面上制备的TbFeCo磁光记录薄膜的表面成分随溅射氩气压的变化关系,以及表......
用X射线光电子能谱(XPS)研究了射频磁控溅射法在玻璃基表面上制备的DyFeCo/AlN磁光记录薄膜的表面成分随溅射氩气压的变化关系。......
用共蒸发法制备了CdZnTe薄膜.研究了蒸发速率、衬底温度对薄膜成分(x值)的影响.用XRD表征薄膜结构,通过其电导——温度关系的测量,......
金属硒化物具有独特的光学、电学特性,在薄膜太阳电池、热电器件等领域具有良好的应用前景。在各种制备方法中,电化学沉积法因其工......
基于溅射理论和分子热力学理论建立了SmCo基多元合金薄膜的成分调控模型,讨论了溅射参数对薄膜成分的影响规律。随后以Sm(Co0.62Fe......
研究了在 18t钢包中采用喷粉方法生产的钙系与钙硫系易切削钢中非金属夹杂物对切削性能的影响。试验结果表明 :以 2 0 0 m/ m in的......
由于电镀硬铬对环境有一定的污染,因而选择合适的制备方式和合适的替代硬铬的材料具有一定的实际意义。本文选用Co-Ni作为硬铬的替......
采用微波等离子体化学气相沉积法，Ｎ_２／ＣＨ_４作反应气体，在 Ｓｉ（１００）基体上沉积β－Ｃ_３Ｎ_４ 化合物．使用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构......
在衬底上溅射沉积一层金属钒膜,然后对其退火制备氧化钒薄膜。研究了原位退火热处理和后续退火热处理对氧化钒薄膜成分及其热敏性......
采用磁控溅射法在PCBN刀具的前刀面上镀制NiCr和NiSi薄膜，形成一种新型的NiCr-NiSi薄膜热电偶测温刀具。详细阐述了薄膜热电偶的制......
提出一种不同标样确定基体薄涂层厚度并同时得到薄膜成分的新方法。通过理论计算，得 不同涂层厚度下，涂层与基体的特征Ｘ射线相对强度......
使用直流磁控溅射方法，Ar/N2作为放电气体，在玻璃衬底上沉积FexN薄膜，利用X射线光电子能谱（XPS），掠入射小角X射线散射（GISAXS），X射线衍射（XRD......
阐述了Cu—W(Mo)薄膜结构的演变与各种条件的关系，并分析了结构演变后薄膜的性能变化。结果表明，沉积条件、退火、离子束的轰击、辐......
用Bulat 6型电弧离子镀设备在高速钢表面沉积合成(Ti,Cr)N硬质薄膜,通过改变分离靶弧电流的配置来调节薄膜成分,制取了x=0.62～0.83......
采用反应非平衡磁控溅射方法制备了氮化钛(TiN)薄膜,沉积时的衬底偏压的范围从0V到-500 V.实验结果表明:TiN薄膜的物理特性和力学......
Fe-Ga合金超磁致伸缩薄膜（GMF）具有比TerfenolD薄膜和块体Fe-Ga舍金更加优越的性能，因此，对Fe-GaGMF的研究已日益受到A-4fl的重视。综......
随着表面技术的发展和市场需求的增加,薄膜材料正在从传统的金属碳氮化物以及碳膜走向更加丰富的材料种类,材料设计也逐步与薄膜工......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
在常用的薄膜制备方法中，溅射沉积技术是重要的制备技术之一。该技术虽然应用广泛，但是目前制备出的电子薄膜还存在一些问题需要解决......
采用热壁低压化学气相沉积（LPCVD）技术,在Si（100）衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅（a-Si1-xCx∶H）薄膜,并用傅里叶变换红......
引言碲锌镉(CdZnTe,CZT)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有高原子序数、高电阻率、优良的载流子输运特性等优点[1-3]......
根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高......
采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si（100）基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜。实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响......
