等平面隔离相关论文
本文提出了把大家熟悉的ＬＯＣＯＳ（Ｓｉ的局部氧化）技术扩展到ＳｉＣ的可行性。为得到一种ＳｉＣ器件集成的最佳化等平面隔离技术，已在结构上鉴定了两种隔离工艺......
为了实现双极型逻辑LSI的高速化、大容量化,有必要综合提高以下所述工艺、器件、电路等各方面的技术。缩小元件尺寸,减少隔离所占......
1975年国际固态线路会议上,仙童公司发表了一个动态I~2L 93481型4K 位随机存储器。它将先进的集成电路工艺等平面隔离与好的集成......
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一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多......
半导体集成电路从60年代初期发展到现在,在速度、集成度和可靠性等方面均取得巨大进展。它是现代电子科学技术的重大成就,它对科......
一、引言集成注入逻辑(I~2L)于1972年问世,至今,在国际上它已经被公认为实现双极大规模集成电路的重要技术途径,被誉为半导体大规......
对正弦输入的响应频率能够超过一千兆赫的数字逻辑电路,要求每一开关点的转换时间小于500微微秒。利用先进的等平面隔离工艺,得到......
氮化硅是一种优良的介质膜,它的结构致密、硬度大、化学稳定性好,对于B、P、Sb、Al、Zn、O_2、Ga、In有很好的扩散掩蔽能力,特别......
本文论述了光化学增强气相淀积(光-CVD)技术在硅集成电路工艺中的应用。用光-CVD工艺在温度低到50℃淀积了SiO_2薄膜(PHOTOX~(TM))......
据徐元森等在第五届全国半导体集成电路学术年会上报导,他们所采用的抛光法U型槽隔离是先用反应离子刻蚀出陡直的U型槽,然后向槽......
本文通过对一般I~2L电路速度不高、负载能力不强的缺点的分析,提出了一种新型的I~2L电路形式及其在IC中的结构.企图在继续保持一般......
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