正性光刻胶相关论文
本文合成了以三苯胺为电子给体的苄叉烷烃酮类双光子染料， 测定了染料的光化学和光物理性质，染料的双光子吸收截面均达到1000GM以上......
飞秒激光双光子微纳加工是一种新的纳米加工技术，具有高精度、良好的空间分辨率和真三维加工能力的特点。近年来发展起来的小分子光......
本文针对公司电脑硬盘部件磁头的ABS面(气垫面)制造过程中,等离子刻蚀及清洗工艺完成后在ABS面图形边缘发现残留物(小突起,Fencing......
描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用正性光刻胶ＰＭＭＡ．得到了一些新的研究结果．
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本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板......
本文用薄层色谱法(TLC)和高效液相色谱法(HPLC)分析了江师正性光刻胶的光敏剂—(4.4′异丙叉苯基)—2,1—邻叠氮萘醌—5—磺酸酯(......
线型间-甲酚-甲醛树脂是正性光刻胶的成膜剂或粘附剂,在正胶中除了有成膜作用外还能在显影液中与邻迭氮萘醌磺酸酯型光敏剂偶合而......
光刻胶是为适应集成电路的需要而发展起来的一种胶种,有正性和负性二种类型。迄今为止,光学分划元件大部分仍沿用负性胶。最近我......
集成电路用正性光刻胶是大规模集成电路中的关键工艺材料,也是目前国际上领先的微电子材料,过去仅有日本、韩国等少数国家能够生产......
以金刚石微马达和微型谐振子结构制备为例，介绍化学气相沉积金刚石薄膜的两种选择生长技术。......
用紫外线曝光设备已制作出最窄条宽为1微米的大规模集成电路,此乃是采用10∶1缩小投影曝光设备、AZ1450J正性光刻胶、平行极板型干......
用外延台面工艺,研制了GaAs单片集成电路。结合正性光刻胶的1微米金属剥离技术,快升温合金技术和栅区深腐蚀技术,已研制出平均时延......
本文叙述扩散钛的LiNbO_3光波导器件的制作工艺.这过程包括:光刻;掩膜的精确定位和校准;金属扩散及波导端部抛光和晶体解理.
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本文论述了不使用粘附剂进行光刻某些材料的新方法——正胶低温显影技术.应用低温显影技术可以相对地增加正胶的粘附性,并刻出了1-......
贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层......
据《Semiconductor World》1992年第8期报道,松下电器公司开发了分辨率达到0.25μm的KrF准分子激光光刻技术。该公司采用了新开发......
机电部十四所研制成功的高精密度感光胶——CNS正性光刻胶是为制作高精密度微波印制电路需要而研制的。该胶系邻叠氮荼醌脂类的正......
研究Lift-off工艺制备金属电极,以避免用化学试剂湿法腐蚀对图形轮廓及下层压电材料造成损坏.对比AZ1500正性光刻胶和AZ5214反转光......
本研究合成了以三苯胺为电子给体的苄叉烷烃酮类双光子染料，并将染料和光生酸剂组成双光子敏化产酸体系，系统的研究了染料的光化......
近年来，随着集成电路向亚微米、纳米方向的快速发展，光刻技术的加工分辨率已经进入纳米量级。纳米器件的发展趋势不仅要求特征尺寸越......
飞秒激光双光子微加工技术在功能性微纳器件制备等研究领域具有广阔的应用前景。高效双光子引发剂的设计和制备是开发适用于双光子......
苏州瑞红电子化学品有限公司:集成电路用正性光刻胶由苏州电子材料厂与日本瑞翁和日本丸红公司合资成立的苏州瑞红电子化学品有限......
在聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)上溅射金属Cu,然后利用光刻、湿法腐蚀的办法制出铜电极.与另一片含有微沟道的PMMA基片热键合,制成集成......
从负性、正性和化学增幅三个方面阐述了光敏聚酰亚胺（ＰＳＰＩ）几十年来的研究和发展现状，并做了一定深度的讨论。......
本文合成了聚苯乙烯—N—(4-羟基苯基)—马来酰亚胺(MR—O),它的Tg为258℃,CF_4等离子刻蚀速率与酚醛树脂相近。用它作为重氮邻醌......
在ＪＳ－４紫外正性光刻胶（光敏剂为２－叠氮－１萘醌－５－磺酸－双酚Ａ酯）中加入添加剂后，经过涂布，前烘，掩膜触曝光，加热，全面曝光，碱液显影及刻蚀等使用步骤，可得与......
基于正负胶结合的UV-LIGA 技术在金属基底上制作了一种新型无源微型射频同轴传输器.针对制作过程中由于胶膜内部曝光剂量分布不均......
在自己研制的圆刻机上,用光电控制的光刻方法,成功地刻出了每圈总数为十六万两千线条的圆光栅,最大直径误差±0.145秒,直径全......
在自主搭建的压电雾化喷涂系统上，以RZJ-304正性光刻胶为研究对象，圆形抛光硅片为基材，研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光......
BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶.玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十......
分子玻璃材料和多光子光刻技术分别是近年来光刻胶和光刻技术领域的研究热点．本文对分子玻璃正性光刻胶在多光子光刻中的应用进行了......
首先以α-萘酚、间甲酚、甲醛为单体,通过缩聚反应合成了萘酚基酚醛树脂NAPR,随后与二碳酸二叔丁酯(DBDC)反应制备了一系列t-BOC改......
通过对硅片翘曲情况及AZ603-14cp正性光刻胶的测试,在步进光刻机的聚焦曝光原理基础上分析了硅片翘曲对条宽均匀性的影响.从而得到......
本文论述了微型箔式应变计的工艺特点和用光化学法制微型箔式应变计的主要工艺问题。通过实践,认为采用正性光刻胶和高浓度三氯化......
