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0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......
近年来,急剧增加的市场需求与国家政府的大力支持使集成电路产业得到高速发展,与国外行业水平之间的差距正日趋缩短。横向双扩散金......
利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS.与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通......
更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿......
本文研究了一种RFLDMOS的热载流子注入效应,分析了热载流子注入效应对器件性能以及可靠性的影响,并提出了改进方案.利用TCAD仿真软......
LDMOS是功率集成电路的主要功率器件.本文在已成功设计的700 V Double RESURF LDMOS基础上，提出了采用高能离子注入工艺制作双......
针对RESURF原理在横向NPN管中的应用，介绍了目前国内外流行的三种横向NPN管结构，并从其耐压特性、各自的优缺点和工艺实现等方面......
,One-dimensional breakdown voltage model of SOI RESURF lateral power device based on lateral linearl
A novel one-dimensional (1D) analytical model is proposed for quantifying the breakdown voltage of reduced surface field......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型A......
提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量；导......
使用专门设计的LDMOS高压器件，实现了一个具有高压驱动能力（±150V）和大增益（〉80dB）的CMOS运算放大器。模拟结果显示，N沟道和P沟道L......
提出了一种新型D-RESURF埋栅SOILDMOS（EGDR-SOILDMOS）结构，其栅电极位于P-body区的下面，可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累......
提出了一种新型4H—SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强，加快漂移区耗尽。同时，利用D-RESURF......
提出了一种能带调制模型，通过在异质结界面处引入负离子电荷（如氟离子）调制异质结处的局部能带分布，实现了对异质结界面处的高密度2DEG......
LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,......
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS.......
提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型。并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法。利用这一方......
采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型．基于分区求解二维Poisson方程，得到了不同漂移区杂质分布的横向电......
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低......
提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.......
在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD工艺。利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了......
研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET（DRTG-LDMOS），讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响，以及DRTG-LDMOS的电容特性，与传统的......
借助二维器件仿真软件MEDICI对double RESURF（双重降低表面电场）SOI LDMOS进行了深入研究,分析了降场层的浓度、长度、深度等参数的......
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMO......
研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的 R......
对SOI LDMOS进行了建模，得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式．以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了......
基于Semi-SJ（super junction）结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ（partial super junction）高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的......
提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种......
应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件.采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化.设计了与常规CMOS兼......
通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模......
利用RESURF与场板结构结合的技术，设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD—MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60pm，就可实现600V以上的......
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构......
提出一种具有降场电极U形漂移区SOI－LDMOS，借助2D泊松方程对其场分布进行解析方析和数值分析，结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐......
高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求......
通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件进行了设计与优化。仿真结果表明:对......
LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)。然而,......
衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结......
横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路(Power Inte......
