PMOs相关论文
相比传统机械式断路器，固态断路器（solid-state circuit breaker，SSCB）以其分断速度快、不产生电弧等优点，在直流电网中得以广泛关注。......
核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
A low drift current reference based on PMOS temperature correction technology is proposed.To achieve the minimum tempera......
In this paper, compared with two-transistor (2T) inverter chain, the production and propagation of P-hit single event tr......
Novel high-voltage, high-side and low-side power devices, whose control circuits are referred to as the tub, are propose......
<正>A novel level shift circuit featuring with high dV/dt noise immunity and improved negative V_S capacity is proposed ......
随着半导体制造工艺的快速发展,器件的特征尺寸已经达到纳米级。而微纳器件在空间辐射环境中的大规模应用使得半导体器件辐射效应......
随着国防科技的建设和国家空间科学的发展,航天工程的应用越来越被人们器重。各类航天器腾空而起,进入太空。但由于空间辐射环境的......
For 3D vertical N AND flash memory,the charge pump output load is much larger than that of the planar NAND.resulting in ......
在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,......
针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......
比较了常用的3种辐照剂量计,并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、AVth-D特性及测试电路的原理图.......
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ......
根据PMOS辐照检测传感器在辐照时所产生的氧化层电荷(Qot)的两个不同模型,模拟计算了不同剂量条件下的亚阈值特性。结果表明,在满......
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以......
本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性,文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论,重点考察了器件尺寸参数对阈值漂......
生活中,高科技便携式电子产品对电源电压稳定性要求较高。为了解决5 V到25 V宽输入稳定输出的稳压电源,选择了TL431为高精度的基准......
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成......
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成......
本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度(L)和宽长比(W/L)的敏感管,并给出样品的直流参数的测试结果.......
比较了常用的3种辐射剂量计，并详细介绍了PMOS辐射检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、△Vth－D特性及测试电路的原理图。......
以1，2－二（三甲氧基硅基）乙烷（BTME）和3－氨基丙基三乙氧基硅烷（AMPTS）为前驱体，通过共缩聚的方法合成氨基修饰的乙烷桥联的有序介孔氧化硅，并对......
在不同剂量率的60Coγ辐照下，研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为当下电子电路应用的核心器件,被广泛应用于汽车、铁路、家电、......
白光LED是最被看好的新兴光源产品，其在照明市场的发展潜力值得期待。白光LED具有体积小、发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快......
介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较......
Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的32nm......
负偏压温度不稳定性效应（NBTI）已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素，而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越......
文章介绍了一种用在高精度A/D转换器中的CMOS电压参考源,依靠PMOS管阈值电压差来产生电流,在外接下拉电阻上产生电压参考源.该种结......
本文主要介绍一种基于PMOS高端驱动的恒压电路设计及其在净水机进水增压泵控制电路中的应用。本文介绍的恒压电路主要包括MCU控制......
联乙炔基团具有共轭π-电子体系,是一种富电子基团。在UV光或γ射线辐射下,联乙炔单体之间会发生拓扑化学聚合,形成烯-炔交替的共......
桥键型有机-无机杂化介孔材料(PMOs)是将功能性的有机基团通过共价键嵌入到材料的孔壁当中,其中有机基团作为材料骨架的一部分而不......
介绍了RFID无源电子标签中EEPROM的基本结构与工作原理。分析了NMOS管Dickson电荷泵及其由NMOS管构成的栅压自举电荷泵的特点与不......
使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触......
针对当前使用NMOS固态功率电子开关的载人航天器智能配电系统存在NOMS隔离驱动控制电路占用大量硬件资源,且不能满足能源系统自主......
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压......
周期介孔有机硅材料(PMOs)是一种在分子水平上将有机基团与无机基团杂化在孔壁中的新型材料,它具有许多独特的性质：有机官能团均匀......
有机官能化周期性介孔有机氧化硅材料(FPMOs,Functionalized periodic mesoporous organosilicas),因其修饰的有机基团具有化学活......
高压CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件与普通CMOS器件相比存在较多电性设计要求和工艺尺寸上的差异,其电性参数......
随着工艺发展进入深亚微米时代，CMOS器件的二阶效应对电路的性能产生着越来越重要的影响，论文首先对比讨论了MCML电路和其它各种常用......
周期性介孔有机硅(Periodic mesoporous organosilicas, PMOs)代表一类新型有机-无机纳米复合材料,具有高度有序的孔结构和大的比......
PMOs（周期性介孔有机硅）是一类新型的复合材料,由于同时兼具有机—无机复合材料和介孔材料的特性,因而它们的合成和应用吸引人们极大......
伴随着集成电路中的器件尺寸越来越小,集成规模不断增大,集成电路工序越复杂,对器件模型精度的要求也日趋增高。当今,一个精确的器......
应变硅技术通过采用适当的工艺或材料在MOS器件的沟道中引入应力,改变硅的能带结构、电导有效质量以及载流子的散射概率,提高载流......
