负性光刻胶相关论文
光刻胶产业化过程遇到的第一个技术屏障是实验室优化的材料组分和光刻工艺在工业生产线上不能再现图形，原因是实验室与工业生产线的......
集成电路是信息社会的基础设施,集成电路制造的核心工艺是光刻工艺,光刻胶的国产化是我国集成电路产发展的重要保障。本文介绍了HT......
奥地利EVG集团在3月17～19日举行的“SEMICON中国2004”博览会上介绍了该公司最新一代EVG~(?)150全自动圆片喷雾涂胶系统。该改进后......
掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无......
对基于SU-8紫外负性光刻胶的无源-有源集成式电光开关进行了系统的研究。首先用物理掺杂的方法制备出价格低廉、性能良好的主客掺......
有机聚合物材料由于其具有较高的电光耦合系数、良好的热力学性能、响应时间短、易加工、结构可设计及制作费用低等无机晶体无......
本文介绍了采用302负性光刻胶刻制光学度盘的工艺方法.
This article describes the use of 302 negative photoresist optical d......
针对传统微透镜阵列制作工艺复杂、成本高、周期长等缺点,研究了一种低成本、高效率制作微透镜阵列的技术方法。以SU-8负性光刻胶......
论述了一种含肉桂酰基的负性光敏聚酰亚胺预聚体的合成与分析．通过正交设计，研究确定了合成过程的最佳反应条件：诸如原材料配比、反应......
本文综述了一种新型光致抗蚀剂———负性自增感光敏聚酰亚胺的研究概况，着重论述了它的合成方法、感光机理、感度及其影响因素，以及......
即使在高效净化间,500～5000伏的静电放电也能损坏满载集成电路的硅大圆片。
Electrostatic discharge of 500-5000 volts can dama......
随着高密度组装技术的发展,互连导体线条越来越细,导体的层数也不断增多,以满足复杂的多芯片组装技术的需要。由此产生了两个问题......
作者发现,负性光刻胶常用的增感剂5-硝基苊,在受紫外光照射后,物理、化学特性有明显的改变。分析表明,5-硝基苊在曝光中产生了光化......
环化顺1.4-聚丁二烯橡胶型光刻胶系新型环化像胶系光刻胶。具有光敏性好、粘附性好，耐酸性优异等一系列优点，特别适用于需耐高温的光......
光阻剥离液BAKER ALEG-370，-625和-3000能满足芯片封装技术对清洗的需求。625系列光阻剥离液兼容金、铅铟和铅锡封装并有效的移除正......
从负性、正性和化学增幅三个方面阐述了光敏聚酰亚胺（ＰＳＰＩ）几十年来的研究和发展现状，并做了一定深度的讨论。......
本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到......
本文分别从理论上和实验上研究了在两种不用的感光聚合物材料上形成主动性和被动性的表面起伏光栅：负性光刻胶材料和偶氮苯共聚物材......
将模糊神经网络理论和算法应用于负性光刻胶（SU-8）加工高分辨率和高深宽比微结构的工艺研究，在正交试验的基础上对网络进行训练，建立了......
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面。通过研究氢氟......
本文在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RFJ-210负性光刻胶为研究对象,抛光硅片为基材,分别研究了稀释体积比、速度以及距离等喷涂......
