半导体学报相关论文
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧......
2001030057阻挡层结构的蓝色有机发光二极管[中]/朱文清…//半导体光电.-2001,22(1).-45—472001030058有机高亮度黄光发光二极管[......
第1期第1期The Bipolar Field-Effect Transistor:III.Short Channel Electrochemical Current Theory(Two-MOS-Gates on Pure-Bas......
“全国第二届纳米技术与应用学术会议”于 2 0 0 2年 1 1月 2 7日 ,在海滨城市宁波市隆重召开 ,与会代表1 2 0余名 ,发表学术论文 ......
分析了英国“Semiconductor Science and Technology”在编委、作者、栏目设置、作者投稿方式等方面的特点,指出《半导体学报》可......
在SiO_2/Si 结构上用CVD生长6000A|°厚的多晶硅膜.通过注入不同剂量的磷离子和相应的热退火得到了不同阻值的多晶硅电阻.给出了方......
在有效质量近似下，利用一维化Ｅｕｌｅｒ方程方法计算了ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结附近类氢杂质基态及２ｐ±态束缚能及其受像势的影响．在极限情况下，我们的结果可以重现......
第1期极性晶体中激子的性质···············································......
本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和......
第1期GaAs一A10.3Gao.泣,DH激光器近场光谱的研究··················……张敬明郑宝真(1)掖相外延生长的Al二Ga......
第1期多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题··,····,·························……黄昆(1)低......
文中描述了用MeV级质子的背散射测定单晶Si薄膜的厚度、厚度均匀性及膜的表面沾污,用质子沟道效应确定了膜的单晶完整程度及表面沾......
为了解决能源问题,目前多晶硅太阳能电池的研究受到普遍重视.结构为50(A|°)Cr/60(A|°)Cu/32(A|°)Cr/20(A|°)SiO_2/Si的多晶硅......
第1期硅耗尽层少子产生率的强电场效应···············,··…李志坚田立林马鑫荣(1)离子注人.Cq激光退火硅中的深......
本文提出在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下求深中心分布的理论与实践.过去在对边区作饱和填充的条件下求分布的方法须要知......
采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.......
期刊
第1期心a人sP混晶中Te施主深能级的研究·”·“····“··········“·“·······”·”·“一·一·…张文清......
第l期扒CTS方法研究51~一Ga人。中深能级缺陷性质················,············……龚大卫陆防孙值......
本文研究了非晶硅(a-Si:H)pin型太阳电池光照J-V特性的反常拐弯现象,发现这种拐弯可以区分为两种类型,它们分别与出现在p界面或n界......
采用微乳状液法合成了不同粒径的CdS超微粒子,其粒径在纳米范围内。光谱结果表明,CdS有明显的量子尺寸效应。首次发现室温下CdS超......
本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究．结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＰＥＴ．器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结......
实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉......
本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期......
