Anneal相关论文
采用RF磁控溅射法在石英玻璃上制备了InGaZnO薄膜, 并对薄膜进行了真空退火实验, 探讨了沉积过程中氧气流量及真空退火温度对薄膜......
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
Heat treatment with the presence of hydrogen (H_(2)) that react with GeE0 centers (·Ge ≡) at high temperature will wea......
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体, 测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光......
降低编程电压,同时仍保持十年的数据记忆时间,一直是多晶硅一氮化硅-氧化硅-硅(SONOS)研究人员面临的一个巨大挑战.本文介绍SONOS......
本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施.结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含......
DC04钢通过冷轧变形提高其强度,在部分再结晶区域进行去应力退火,并合理控制其保温时间,成功生产出屈服强度Rp0.2≥550MPa,冷弯性......
In accordance with experimental results about the annealing microstructure and texture of cold-rolled deep- drawing shee......
介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术(MBE)在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的......
The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent......
为了开发高活性的二氧化钛(TiO2)光催化剂,通过简易的两步法制备了TiO2薄膜.首先将钛片放入氮化钛(TiN)纳米颗粒悬浮液中,然后干燥......
The microstructures of ZK60 alloy under conventional direct as-casting (DC), twin roll casting (TRC) and twin roll casti......
通过轧制Al条和Ag条制备Ag/Al双金属条.为使Al和Ag条之间发生冷焊,对表面进行处理并设置不同的轧制压下量.实验表明:发生冷焊的最......
Pure ZnO and Zn0.96Na0.04O films were grown on quartz substrates by sol-gel technology.The XRD analysis revealed that al......
本文利用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备得到了AZO透明导电薄膜,就两种不同的热处理-退火方式对薄膜的结构与性质的影响做了比较,研......
在放射治疗中,逆向治疗计划的实质是最优化问题.目前人们用各种方法求解这一问题;傅立叶变换方法、Radon变换法和投影算法等解析方......
本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明......
研究了退火温度和保温时间对喷射沉积-轧制工艺制备的耐热铝合金8009薄板的硬度与组织的影响.在金相、扫描电镜和透射电镜下观察了......
系统分析蒸发器焊缝大面积开裂的原因,确定应力腐蚀-碱脆是焊缝开裂的主要原因,焊接残余应力是引起焊缝开裂的主要应力,并提出相应......
研究压电射流陀螺检测元件铂丝电阻热敏性能，通过结构设计，电参数选择尽量发挥铂丝热敏电阻性能的优点，减小缺陷影响。设计运算放大电......
研究了铟锡氧化物（ITO）粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响。结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下......
ZnO的激子束缚能高达60meV，具有优良的光学性质。因此，Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备......
用sol-gel法在Al2O3基片上制备PZT铁电薄膜。研究发现，制备PZT溶胶时加入乙酰丙酮可以提高溶胶的稳定性，并抑制热处理时薄膜上裂纹的......
对催化化学气相沉积法制备的无序多壁碳纳米管（MWNTs）进行了温度从1362-2100℃的系统研究。MWNTs退火前后能谱分析显示：1600℃退火的M......
采用磁控直流溅射法制备出纳米WO3薄膜，在N2气中进行退火处理。采用分光光度计、XRD等对退火前后的WO3薄膜进行了光学特性的分析。......
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌（ZnO）为沟道层的薄膜晶体管（ZnO-TFT）。研究了不同温度退火......
本文利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下300℃热处理和后续的常规N型热处......
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe：Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构，刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构，高度（111）择优，重掺Cu的为......
在草酸体系中,采用二次阳极氧化法可制备大面积有序铝阳极氧化多孔膜(AAO),用X射线粉末衍射(XRD)仪进行物相分析,利用扫描电子显微......
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响。氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体。研究发现氢的引入影响了束缚......
采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga2O3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,......
以N管阈值电压作为表征参数，对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲吖辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究，初步探讨了辐射损伤与......
研究退火时间对薄膜相结构、形貌及光学性能的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上负载TiO2薄膜，通过X-射线衍射（XRD）......
首先利用3-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）对纳米二氧化硅（SiO2）进行表面接枝改性,将未改性或改性的SiO2分别与聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）按照95......
采用熔融抽拉法制备了Fe74Cu1Nb3Si15.5B6.5非晶丝材料.分别研究了不同温度和交流电流退火后该种丝的GMI效应,结果发现两种退火方......
本文通过对调节阀中膜片在材料选用，压制方法，热处理工艺的确定等几方面的分析，比较，最终得出了最佳的工艺方案。......
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方......
以超纯铁素体不锈钢复合板SUS445J2＋Q245R为例,通过实验和分析,确定最佳的退火工艺。实验证明：退火温度过高会导致SUS445J2不锈钢晶......
分析了卷铁心变压器的铁心退火工艺,对影响铁心退火的关键因素等问题进行了探讨....
对铝纯度为99.79%和99.99%的两种铝箔进行了多种退火处理,利用蚀坑法分析统计了热处理后铝箔的立方织构含量.化学成分对铝箔立方织......
按照退火计划内各钢卷的钢种和厚度对退火中的冷却工艺进行分类,将罩式退火炉冷却时间预报的多入单出建模问题化为一组单人单出建......
探索性研究了影响双相纳米晶Nd4.5Fe76.5- xGaxCo1.0B18粘结磁体剩磁的快淬工艺条件，并给出了一些有意义的结果，为深入开展这一国内......
基于常温反应磁控溅射和热处理工艺，在硅片（100）衬底上，制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜，采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形......
气雾化纯金属或合金粉末是粉末冶金方法（压制和烧结）制备高性能材料的常用原料。然而,由于细小的Si相和过饱和基体导致强度较高,气雾......
分析热电偶的测量误差和损坏的原因,提出避免热电偶产生测量误差的方法....
通过对硅钢退火原理的分析，研究了影响硅钢退火的因素，指出调整炉内气氛，改进脱碳工艺，可以达到提高产品质量的目的。......
研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理，并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统（Ni／Gre／Au,／Ge／Ni／Au）,在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金......
研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响,分析了退火机理,找出了最佳退火流程,获得了优良的通态电压与关断时间(VTM～T......
由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模......
