SoI相关论文
相较于传统体硅器件,绝缘体上硅（silicon on insulator,SOI）器件以其更小的寄生电容,更低的功耗,抗闩锁能力等优势应用于集成电路中,......
从4G手机到如今商用的5G通信手机,手机天线数量的倍数增长伴随着射频分立模块数量急剧攀升,对本来拥挤的PCB无疑增加空间约束,进一......
耐高温压力传感器的压力测量广泛应用于工业控制领域,例如航空航天、军工、油井、石化等。为了提高MEMS压力敏感芯片的可靠性和传......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
近年来,光学传感器已被广泛报道用于气体监测、化学分析、生物传感等领域。拥有高芯包层折射率差的绝缘体上硅（Silicon on Insulato......
光开关是光信息系统中不可或缺的光学器件,其作用是在光网络节点处实现对光路的交叉连接和对上下光路的分插,可应用于光互联、光传......
目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......
传感技术作为信息技术三大支柱之一,早已渗透入社会的方方面面中,像科学研究、食品安全、环境监测、疾病检测、化学化工等方面。但......
为解决电容式加速度计灵敏度低,交叉灵敏度高等性能问题,设计了一种新的三质量块MEMS三轴电容式加速度计,该三质量块加速度计能够......
国内外的航天实践表明,单粒子效应（Single event effect,SEE）是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的......
空间静电放电效应(SESD)和单粒子效应(SEE)是卫星设备异常的两个重要原因,但难以精确判断航天应用中产生的故障是由何种效应所导致......
本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构，并借助理论分析和二维器件......
介绍了一种利用硅的各向异性腐蚀特性在SOI材料上实现的光功率分配器,文中阐述了分配器的结构原理,制作方法,并给出了初步的测试结......
本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP......
本文对于V型梁结构微执行器,理论研究表明V型梁的长度、宽度、厚度和初始偏置角度等几何参数对微执行器的性能存在直接影响.在结构......
本文基于MEMS技术设计了一种单片集成三轴加速度,压力和温度传感器.对各个传感部件的结构进行了理论分析和有限元仿真,并结合工艺......
For fast flexible electronics,transferrable mono-crystalline Si (c-Si) nanomembranes (NMs) become the most attractive ca......
Strain technology is commonly considered as an effective means for enhancing MOSFET performance.The mechanical stress in......
高温压阻式压力传感器在军事和民用方面具有广阔的应用前景。当前，适于高温环境应用的压力传感器研究备受关注。本文概述了高温压力......
智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时......
SOI材料中顶层硅的质量直接影响到制做的器件性能.本文对顶层硅中出现的位错现象进行了分析,并结合实验,提出了相应的解决措施.......
Great attention have been payed to the research of semiconductor spintronics to fabricate novel spin-based devices.The a......
江淮流域是我国暴雨洪涝灾害最为严重的地区之一，极端降水的时空分布特征和归因研究受到很多关注。本文首先简单分析了局地水汽和涡......
会议
本文基于山西38个测站1958年-2013年的逐月降水资料、CPC南方涛动指数、NOAA逐月太平洋海温等资料,应用趋势分析和相关分析等统计......
Teleconnection impacts of ENSO event on reference crop evapotranspiration in some cold climates of I
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针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计.然后依照实际器件的结构建立了SOI......
提出了一种新型的结构解耦四质量块陀螺仪的结构设计以及制备方法。采用梳齿电极的设计和推挽法消除了静电驱动力的二倍频分量, 并......
根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制......
鉴于林下植物群落具有的关键性功能作用和全球范围内巨大的森林覆盖面积,研究林下群落对CO2浓度升高(eCO2)的响应以及土壤资源在这......
植物群落中C3和C4植物的比例和组成对诸多生态系统过程具有重要影响.解析C3和C4植物碳同位素的环境驱动过程与调控因子,对于从土壤......
本文从原理上阐述氧离子注入机高温靶室对制作SOI材料的要求,分析晶片加热途径和热传递方式,对晶片注入高温区结构和热源进行热设......
采用0．8μmCMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI4×4马赫-曾德（MZ）光开关阵列，其由4个2×2基于多模干涉（MMI）耦合器的MZ（MMI......
根据受抑全反射的光学隧道效应和Ｇｏｏｓ－Ｈａｎｃｈｅｎ位移分析ＳＯＩ全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体色散效应，ｐ－ｎ结大注入效应的基......
The impulse response for a phase-change material Ge2Sb2Te5(GST)-based photodetector integrated with a silicon-on-insulat......
根据马赫-曾德尔型热光开关的工作原理，提出了可以提高热光开关响应速度的过驱动方法并设计相应的驱动电路，使SOI4×4重排无阻塞......
【正】Knowledge of seasonal variation of net ecosystem CO2 exchange (NEE) and its biotic and abiotic controllers will fu......
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
报道了硅片直接键合ＳＯＩ单模梯形大截面脊形波导的研制．对于波长为１．３μｍ的光，这种脊形波导的传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ．
Reported the direct bonding si......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们......
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制......
