NMOs相关论文
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器......
The 13.56 MHz analog front-end circuit for ISO/IEC 15693-compatible radio frequency identification (RFID) trans- ponder ......
Electrostatic discharge (ESD) induced parasitic effects have serious impacts on performance of radio frequency (RF) inte......
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
A rail-to-rail amplifier with constant transconductance,intended for audio processing,is presented.The constant transcon......
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常......
A novel high-order curvature compensation negative voltage bandgap reference(NBGR) based on a novel multilevel compensat......
针对40nm体硅工艺利用TCAD(Technology Computer Aided Design)对关键NMOS进行3D建模,采用混合仿真模型对SRAM单粒子效应进行模拟......
<正>目前,正在研究提高单片ROM,EPROM和EROM位数的问题。这里将要报告的是一个晶片尺寸为3英(?)的4MbROM,它使用了标志着单片集成......
In this letter, a phase change random access memory(PCRAM) chip based on Ti0.4Sb2Te3 alloy material was fabricated in a ......
广电行业正在从高清向超高清推进,带来的不只是分辨率的提升,还有因高动态宽色域带来的10倍的数据传输带宽增长,同时还将面临基带......
集成电路设计中，用逻辑电平控制高压信号传输的情况很多，而传统的高压传输控制电路的结构过于复杂，版图面积较大且受工艺限制。介绍的......
比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入......
介绍了一种单片集成的数模接口电路.它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成.设计中,采用了一种规则的全NM......
为了在提高DSP、CPU、FPGA、ASIC处理能力的同时不显著增加功耗,通常采用双电压或三电压结构,芯片核心部分采用1.2V、1.5V或1.8V供......
建立了一种基于硅／锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型，通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明，提......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3066,该器件提供精准的可编程电流限制、主......
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成......
为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种......
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核......
为了提高电源抑制能力以便降低输入电压的噪声影响,提出了一种适用于无输出电容NMOS低压差线性稳压器的电源抑制PSR(Power Supply ......
立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案.该方案只使用9块掩模版即完......
Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的32nm......
应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入应变,利用Si和SiGe晶格常数差异产生压应变或张应变,从而提高了载流子迁移率。......
提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地......
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS......
在SMPTE-2110无压缩标准建议下,总台新搭建的4K超高清EFP制作系统已经全面实现网络化和IP数据流化。在这种广电三层结构的IP制作网......
ESD电路的作用是保护集成电路，使静电不损坏芯片内部电路，不造成集成电路失效，因此 ESD 研究是集成电路可靠性研究的重点方向之一。在......
设计了一种主要基于NMOS差分对四象限模拟乘法器.该乘法器采取以电压的形式输出而不适用电阻.利用基于smic0p18um EEROM 2P4M SPIC......
大型电力变压器作为电力系统的枢纽设备,其安全运行对保障电力系统安全稳定至关重要。目前,我国各发电厂和变电站中使用的变压器90......
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压......
进入21世纪以来,军用电子设备由综合化向集成化发展,武器系统的信息化和智能化大大提高,海、陆、空全覆盖的信息网络逐渐成为各国......
在临近空间内运行的临近空间飞行器,容易受到临近空间中大气中子的辐射影响,尤其是其上搭载的FPGA等大规模集成电路,极易发生单粒......
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结......
随着工艺发展进入深亚微米时代，CMOS器件的二阶效应对电路的性能产生着越来越重要的影响，论文首先对比讨论了MCML电路和其它各种常用......
随着微电子技术的发展,晶体管的特征尺寸越来越小,集成电路的规模也越来越大,采用传统的等比例缩小原则提升集成电路性能的方法越......
伴随着集成电路中的器件尺寸越来越小,集成规模不断增大,集成电路工序越复杂,对器件模型精度的要求也日趋增高。当今,一个精确的器......
随着SOI技术在辐射环境下的应用越来越广泛，如何提高其抗辐照的性能成为近年来国内外研究重点。本文首先对PD SOI NMOS器件在静态偏......
应变Si材料具有较高的载流子迁移率，且与传统的Si工艺兼容已成为国内外的研究热点，同时也是由于应变Si禁带宽度的减小和载流子迁移率......
数模转换器(DAC)是数字系统与模拟系统接口的关键部件,也是信号处理系统的重要组成部分,长期以来在通信、视频和音频等领域被广泛......
卫星、核反应堆及其它长期工作在低剂量率的高能射线辐射条件下的MOS器件很容易因为辐射导致器件阈值电压漂移而失效，这需要从制造......
传统的大规模集成电路的功耗控制方法存在运算量高、精确度有限的问题。因此,基于双阈值低功耗技术设计并实现CMOS电路中外部能耗......
介绍了一种25VNMOS器件结构,针对NMOS管实验结果中出现的漏电问题进行了测试与仿真分析。根据分析结果提出工艺改进方案,验证并成......
汽车上的常规负载开关常采用普通机械继电器做功率开关器件,但因有机械触点,常常发生触头氧化或粘连等故障;这篇论文对带有CAN总线......
