电流驱动能力相关论文
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其......
据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶......
本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比......
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对......
提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有......
深圳润科迪电子有限公司于一九九八年成功推出全新概念的DFT(消失真)功率放大器,凭借能显著改善扬声器的运动失真而在功放设计界......
为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性......
据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源......
目前,三菱电机公司通过开发、引进新的结构源、漏、低温氧化膜淀积技术已成功地开发出与系统LSI相对应的高性能80nm CMOS晶体管。......
据《中国电子报》报道,铜和低 K 介电互联材料的引入表明,改变材料是很困难的。在前不久举行的 VLSI 技术研讨会上,技术专家积极......
0327835一种用于大面积CMOS FPA的相关双采样保持电路[刊,中]/张智//半导体光电.—2003.24(4).—260-263(D2)提出了一种基于动态......
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为3......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱......
瑞萨(Renesas)公司宣布开发出一种具有低成本制造能力的极高性能晶体管技术,该技术用于45nm及45nm以下的微处理器和系统级芯片(SoC......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Chan......
为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,......
一、概述目前,半导体功率器件基本上分为两部分:一为双极型功率晶体管,它的历史长,工艺成熟,应用时间长,占领了功率器件的大部分......
一、5伏电源电压是CMOS电路的发展方向CMOS电路由于在功耗、速度、抗干扰性,工作电源电压和价格等方面具有显著的优点,是整个集成......
本文介绍了一种设计高性能恒流源的新技术。其主要部件是采用单片运算放大器,并使之构成一种改进的“电流镜”(current mirror)用......
一、引言 集成电路技术的迅速发展,已有可能将几十万个元件集成在一个芯片上。从而为系统集成带来了希望,在一个电子系统中。除了......
本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α......
C.基于HBT的光电子集成电路接收器 基于异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管的光电子集成电路接收器也是令人感兴趣的器件,因为......
ＣＭＯＳ专用ＩＣ──步进电机分配器毕玉国随着ｃＭＯＳ集成电路设计和制造技术的发展，制造一片新的ＩＣ的周期越来越短，成本也越来越低，加之ＣＭＯＳ工艺ＩＣ本身的优点，要......
本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流......
电路中的IC1选用EL2045CN,是少数几种具有电压反馈的宽带运算放大器之一。该运放有足够的带宽、很快的响应速度,并能对象本电路所......
设计和制造了一个GaAs单片集成激光器驱动电路。描述了电路的设计考虑,制作过程和器件与激光器驱动电路的静态特性。该电路具有大......
ON semi公司的NCP1611具有-500mA/+800mA的大电流驱动能力,Vcc范围为9.5～35V,提供接近1的高功率因数,能够优化包括轻载能效在内的完......
在很多应用中,数模转换器经常与放大器配合使用数模转换器广泛用于各种应用中,并常常搭配放大器使用,以便对输出信号进行调理。放......
当驾驶着心爱的越野车驰骋在自然美景中时,若有美妙的音乐相伴,可以增添无限乐趣,让驾驶成为一种享受。然而越野车原装的音响所体......
利用0．35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术（SOI）互补金属氧化物半导体（FD SOI CMOS）器件，器件制作采用双多晶......
