CMOS集成电路相关论文
正电子发射断层成像（Positron Emission Tomography,PET）是医学影像领域最尖端的造影系统。全数字信号处理是PET系统发展的重要方向,......
提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正......
随着不断缩小的工艺尺寸，以NBTI为主导的老化因素对VLSI器件寿命的影响尤为突出。针对老化引起的时序违规，提出一种抗老化的结构设计......
介绍了一种新型CMOS栅极自举开关电路。该电路适用于14位250MHz采样频率的A/D转换器。在传统栅极自举开关上增加一个单元，可以有效......
提出了一种基于BP神经网络的功耗宏模型:提取CMOS集成电路原始输入/输出流的统计特征,包括平均信号概率,平均信号翻转率和平均时空......
本文分析、比较了几种MOS二极管结构固有的本征双积分器环的直流工作条件和滤波特性,讨论了它们各自的适用领域.......
在信息化社会中,作为网络重要基础的以太网广泛应用于计算机局域网接入中.本文针对多端口接入应用,设计了快速以太网物理层芯核,符......
本文首先对集成电路中的单粒子翻转(SEU)的失效物理机理做分析,在此基础上对存储器和组合电路等主要,同时也是SEU现象较多的的集成......
在内电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往往一个较......
报导了由CMOS跨导运算放大器（CMOSOTA）和电容（C）实现的双二次可变迟延均衡器，其迟延曲线形状和最大迟延频率可分别由各自控制电流调节。......
在硅集成电路进一步缩小尺寸的过程中,将会遇到一些困难;其中的一项是栅氧化层的厚度,从目前情况来看出现了问题得以解决的苗头。......
在信息技术设备系统的大规模集成电路(LSI)中,“要求工作中的功率消耗极小”是一个重要课题。为降低LSI的工作电压,有效的方法是降......
提出了一种针对单片集成开关电容 DC- DC变换器进行优化的设计方案 .阐述了开关电容 DC- DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理......
提出了一种新型热感功耗模型,该模型能够准确估计出电压调整情况下的功耗和温度.实验结果表明如果忽略热效应,泄漏功耗将会被低估......
提出了一个刷新率达2GHz的10位电流驱动型数模转换器.在综合了精度与芯片面积等因素之后,该数模转换器使用6+4结构.采用电流型逻辑......
为了有效降低传统电荷泵电路的充放电过冲电流,提高电荷泵输出控制电压的稳定性,提出、设计并实现了一种高速低过冲的电荷泵结构,......
使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC0.18μmCMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低......
基于标准0.18μm CMOS工艺,设计一款输入恒跨导、输出全摆幅的运算放大器.利用最小电流选择电路实现输入的恒定跨导,并采用前置Cla......
研制了一种氧化锌基的固体装配型薄膜体声波谐振器。采用了布拉格反射层为反射基底,以掺镁氧化锌作为压电层,利用MEMS微制造工艺形......
模数转换器（ADC）作为模拟信号转换为数字信号的桥梁，广泛应用于各种电子系统，是电子系统的关键部分。模数转换器不仅需要有较高的信号......
随着制造工艺的进步，晶体管特征尺寸不断减小，氧化层厚度不断降低。然而，为了维持芯片的高性能，供电电压的下降却较为缓慢。很薄的氧化......
设计了一种两级低电压自启动电路,实现低输入电压条件下热电能量收集系统的自启动。在第一级自启动电路中引入一种新型堆叠式反相......
该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦......
本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给......
CMOS计数器由触发器和门电路组成,包括同步型和非同步型两大类,计数方式有加法计数器,减法计数器,可预置数可逆计数器,可预置数1/......
提出了在CMOS集成电路中单击事件闭锁的一个新理论。就截面和临界线性能量传输(LET)两个方面的温度效应进行了解释。闭锁有效截面......
提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶......
亚微米沟道n~+多晶或n~+多晶硅化物栅CMOSFET具有较大亚阈值漏电流和较小的驱动电流。CMOS VLSI理想的栅材料所具有的功函数应是硅......
难熔金属及其硅化物在MOS电路中作为栅极材料获得了重要的应用。它与自对准新工艺相容,并且具有比多晶硅低得多的电阻率。我们采......
为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个......
电阻、电容等无源元件在模拟电路设计中有着广泛的应用，然而在许多CMOS工艺条件下，制作精确控制的电阻或者具有合理物理尺寸的电......
一个理想的数字集成电路,应该具有下列特性:不消耗功率;传输的信号不产生延迟;输出信号的上升时间和下降时间可以控制;抗干扰度为......
随着器件特征尺寸越来越小，CMOS集成电路的闩锁效应越来越显著。本文根据P衬底N阱工艺中的四端pnpn结构，详细地解释了闩锁效应的形成......
本文简述CMOS集成电路按比例缩小对电路性能的影响,以及可靠性老化筛选应注意的问题和建议采取的措施.......
本文简要地介绍了XCJ—02脉冲信号发生器的设计思想,叙述了该机的原理特点、结构、用途及所具有的各种技术性能指标。
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本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散......
本文以1.2u双层铝CMOS大规模集成电路中最常用的一种输入保护形式为例、对LDD（轻掺杂漏），MDD（中等掺杂漏）和DDD（双扩散漏）器件结构及抗静......
CMOS集成电路由于自身的优秀的性能，已经广泛的应用在各个领域，伴随着电子产品功能的不断增强，集成电路复杂程度的逐步提高，其质量和可......
对现阶段的集成电路芯片制造进行分析,会发现占据主导地位的工艺技术是体硅CMOS半导体工艺技术,分析此种技术的利用要点,明确其技......
现如今,人们越来越热衷于对集成电路性能和功耗方面的研究,而CMOS集成电路也因其低功耗、高性能的优势日益成为人们关注的焦点.鉴......
