SiC薄膜相关论文
随着工业技术的迅猛发展,越来越多的机械零部件需要在高温下运行,因此开发相应的高温润滑材料显得尤为重要。SiC薄膜因其优异的性......
宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注.同时,其稳定的化学性质......
常温下生长未退火和较低退火温度处理的薄膜的晶体结构仍然处于非晶相,当退火温度升到某一值时,非晶Si 或SiC 开始慢慢固相晶化,发......
本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分......
利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表......
用射频（ＲＦ）共溅射复合靶技术和Ｎ２ 气保护下高温退火的后处理方法，在Ｓｉ 衬底上制备出了碳化硅（ＳｉＣ） 薄膜，通过傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ） 、室温光致发光谱......
利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描......
在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法制备SiC薄膜过程中,研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性.对薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏......
SiC作为第三代半导体的代表,具有优良的光电特性。SiC薄膜的宽带隙、强的非线性光学响应使其在制备微电子集成和光电子器件领域前......
SiC薄膜是一种物理、化学性能优良的功能材料,具有良好的热传导率、高硬度以及化学稳定性好等优点,被广泛的应用于核防护、微电子......
锂离子电池具有能量密度高、循环寿命长和环境友好等特点,被广泛应用在便携式电器和电动汽车领域。锂离子电池的关键技术之一是开......
在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ￣＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制......
采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫......
用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上ＳｉＣ薄膜的厚度＝Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｄｅｔｅｒｍｉｎａ－ｔｉｏｎｏｆＳｉＣ－ｏｎ－Ｓｉｔｈｉｎｆｉｌｍｓｂｙａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｗｅｔｅｔｃ...
Thick anisotropic reactive ion etching and preferential wet etc......
利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC......
材料科学的各分支中,薄膜材料科学的发展一直占据了极为重要的地位。薄膜材料是相对块体材料而言的,是人们采用特殊的方法,在块体......
由于SiC的宽禁带性质,SiC制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以及导......
该论文的工作就是在评述SiC材料特性,晶体制备技术的基础之上,对制备SiC外延薄膜CVD,MBE和溅射法等方面进行详细阐述,特别对射频溅......
制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代......
碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料，具有热导率高、电子迁移率高、击穿电压高等优良特性，是制造高温、高频、大功率器件及光电集成......
宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注.同时,其稳定的化学......
该文采用脉冲淀积(PLD)技术在不同温度,不同取向的Si衬底上淀积出了SiC薄膜,退火后得到了高度择优取向的外延SiC薄膜,光致发光间接......
第一章综述了SiC材料基本的物理化学性质以及SiC材料和器件的研究进展.包括SiC的基本结构、同质多型、热学和光学性质、电学特性等......
本论文研究了脉冲栅控行波管中，Hf薄膜对抑制栅极电子发射所起的作用，讨论了Hf薄膜的工作机理。实验中，利用射频磁控溅射技术在Mo基底......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制......
碳化硅在场致发射(u0006EE)应用中除了具有金刚石的一般优点之外,还具有易于n型或者p型掺杂的特性.本文用APCVD方法研制了一种SiC......
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 ......
单晶硅中注入高剂量的C+离子，注入能量为50keV，经高温退火后形成β-SiC沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β-SiC，样品表面蒸上一层半透明的......
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则......
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的心用需求.为此必须对SiC反射镜进行表而改性,以获得高质......
...
...
采用化学气相淀积淀积ＳｉＣ薄膜中ＳｉＨ４、ＣＨ４的分解产物种属进行数学建模，并结合相关热力学数据进行计算机模拟，得出ＳｉＨ４分解产物中以ＳｉＨ２为最多，ＣＨ４以ＣＨ２为最多，表......
原文如此薄电影被 RF 磁控管劈啪作响技术(RMS ) 与单身者的目标准备水晶原文如此然后退火。表面形态学薄电影被 AFM 描绘。结果表......
采用磁控溅射法在T10钢表面获得了SiC薄膜，并研究了溅射方式、工艺参数以及中间层对薄膜结合性能的影响。试验结果表明，采用功率为20......
The ion beam mixing prepared SiC films on stainless steel substrates were irradiated by hydrogen ion beam with an energy......
考察了SiC薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响。实验采用磁控溅射技术制备SiC薄膜（样品台不加温），使用划痕仪测量界面结合力，采......
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化．结果表明，薄膜主要以非晶......
利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC......
在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积SiC薄膜，然后用能量为5keV的H^＋对其辐照直至剂量达到1×10^18／cm^2，再用二次离子质谱分析（S......
