X)As相关论文
测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射......
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa......
研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体，当铟的摩尔分数（ｘ）不同时，后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３，０．３７，０．５０，１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和......
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。......
通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光......
研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-x......
Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y alloys have been grown by atmospheric pressure MOCVD on n-GaSb(Te-doped)substrate.The sohd com......
利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚......
采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/AlxGa1 xAs二维电子气(2DEG)样品进行了生长.在样品生长过程中,分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离......
本文在计算Al_(0.8)Ga_(0.2)As的折射率和反射率以及各种抗反射层下p-Al_(0.8)Ga_(0.2)As/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的收集效率和短路......
蒋红）（李树纬
Jiang Hong) (Li Shuwei...
通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布......
采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临......
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征......
在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自......
我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—Al_xGa_(1-x)As异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由......
制作并试验了用分子束外延法生长的双异质结AlGaAs/GaAs双结晶体管(DHBJT)。掺入缓变基极-集电极结改进了DHBJT的dc特性,它优于用......
本文主要介绍两方面内容:一方面是用半密闭式倾斜法液相外延得到GaAsAl_xGa_(1-x)AsSH激光器;另方面,将正交表用于该器件外延工艺......
通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分......
本文介绍了改进后的液相外延装置,并给出了多层液相外延的结果。一、引言多层液相外延是一种十分成功的晶体生长技术。国外采用这......
研究了InP掺杂浓度分布,确认测量系统的可信性.在多元材料生长中,组分控制重复性欠佳的情况下,根据每片材料的C~(-2)-V特性测出内......
用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内A......
从四、五十万年前,北京猿人发明了第一个“发光器件”——枯枝点火,到现在的半导体发光管、激光器的出现,在这漫长的时间里,人类......
一、引言GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性......
用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和A......
本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短......
Presented here are a combined Rayleigh, Raman and photolumines-cence studies of AlxGa1-xAs alloy grown by molecular-beam......
由于GaInAs材料具有高的电子迁移率及高的电子漂移速度,且易于与InP实现良好的晶格匹配,并在InP-GaInAs界面具有二维电子气效应,已......
本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0......
我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经......
本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长......
本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未......
本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了......
应用透射式电子显微镜观察了GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的......
采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修......
本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及......
为解释以往在GaAs/n型AlGaAs异质结中所观测到的负平行磁阻现象(NPMR),本文首次提出了一新物理模型。在平行界面的磁场中,二维电子......
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaA......
用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMS......
本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定......
低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaA......
