发射区相关论文
利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44......
１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...
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一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]......
在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷......
据《日经工卜夕卜o。夕X》1997年第2—10期报道，德国西门子与德国Ruhr大学、奥地利工业大学合作，采用SiGe技术开发了高速2：1分频器IC，......
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射......
ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
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介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具......
本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Ｓｅｆｆ，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计方法。作为应用实例......
二氧化硅乳胶是一种新型的液态扩散源。为满足需要,本所除研制并生产掺杂单个元素的乳胶源外,还研制出几种掺杂双元素的二氧化硅......
基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双......
双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO2薄膜替代热氧化SiO2薄膜,用LTO较低淀......
同学们知道,我国现有3个卫星发射基地,即四川西昌卫星发射中心、甘肃酒泉卫星发射中心和山西太原卫星发射中
Students know that ......
主持 马超勤 主持人：神七升天，让全国人民欢欣鼓舞，作为小学生，我们的高兴劲更别提了。这不，南宁市星渊小学五(2)班的小同学们，在班......
获得了大范围运用条件下空中发射的导弹的传递函数。设计了一—个线性控制系统.从控制系统需要的观点来看,导弹用于对付空中和地面......
美军目前的发展热点之一是对小目标的攻击,这与其它国家军队的训练重点有很大区别,本次沙龙就讨论此问题。目标分类及武器选择韩军......
前言在引进苏联CA—75M地空导弹系统以前,我们设计地空导弹武器系统通常以等速平飞目标为主,对机动目标的射击研究较少。国内有关......
关于战略防御倡议(SDI)的争论主要是围绕以下三个问题进行的: 1.技术上是否可行,能否发展成为一种有效的导弹防御系统,从而使美国......
本文论述了根据发射区评价导弹性能的方法,分析了妨碍导弹正常飞行的因素;导弹的姿态变化、攻角及负载系数等。同时还探讨了制导方......
本文提出了迎击弹道导弹的新型导弹系统方案,推导了导引方法。该导弹系统由一部可以重复使用的无人驾驶导弹发射机（MLV）和两枚反弹道......
本文较详细地讨论了野战防空导弹武器系统的反应时间,提出了反应时间、理论反应时间和实际反应时间的概念,并从野战防空的角度出发......
美国军队正在承担起反对环境污染的责任，他们对射击场的铅污染深感不安，从8月份开始，正在分阶段使用新型的钨芯弹头．这种新型黄铜金属......
如何高效地使用舰空导弹拦截饱和攻击的反舰导弹,是在现有武器系统基础上充分提高水面舰艇防空能力的重要手段。首先根据水面舰艇......
针对中远程舰空导弹发射区的问题,通过对目标的机动轨迹分析,对舰空导弹可靠发射区进行了研究,提出了可靠发射区的确定方法,并通过......
在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_......
本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
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双极型互补存贮器是一种最新发展起来的新型存贮器,其突出的优点是:很小的单元面积,较高的成品率,微功耗,较高的速度以及工艺过程......
在半导体上同时形成基区和发射区的双极型晶体管的制造方法为:在第一导电类型(如 n 型)的半导体表面上涂复一层第一导电类型的掺......
大电流下双极晶体管的种种行为,必须得到详尽的解释。到目前为止,虽对此已提出过许多大同小异的方案,但人们普遍认为:仅从研究物理......
本文叙述了注硼基区、注砷发射区双极电路的研制结果。在与常规双极工艺相容的条件下,制作了双注入晶体管(f_T=0.88～1.1GHz)、双注......
NPN工艺中常碰到CE漏电问题,尤其是管道漏电,因为在LSI中元件既多又密,少数的CE结漏电便会使成品率大大降低。例如一个TTL128位存......
制造了注入铍确定发射区和集电区的横向pnp双极晶体管。注入期间,用SiO_2和光刻胶保护基区表面(1～2μm宽),以防止铍离子由此注入。......
本文简要叙述用离子注入法制造双极硅ECL集成电路的实验结果。电阻器和晶体管基区的掺杂由注入硼来实现,发射区的掺杂则靠注入磷来......
近几年来,国内外对于高反压硅功率管进行了较多的研究工作.这次我们半导体专业1970级工农兵学员利用毕业实践的机会,组成了试制小......
一、前言 VHF正向AGC管在我国已有较长的生产史,但至今大多数厂家仍采用类似高频小功率管CG36的设计版图,最细线条(发射区)为2.5......
微波晶体管的几何图形设计是决定可靠性和射频性能的主要因子。这里比较了几种主要结构及各自的优点。
The geometry of a microw......
近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体......
通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落......
我们在试制3DD101管的过程中,摸索出一种选择发射区磷扩散工艺条件的新方法。只要根据基区硼扩散后实测的方块电阻和结深计算出磷......
本文用一种简单计算证明了关于电流放大系数对温度的依赖关系,可以明显地受发射区和基区中的可动载流子的不同冻析速率和在这两个......
